"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Зарядовые свойства МОП структуры Al--SiO 2-- n-6 H-SiC \(0001)Si\
Иванов П.А.1, Константинов А.О.1, Пантелеев В.Н.1, Самсонова Т.П.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Исследованы зарядовые свойства МОП структуры на основе n-6H-SiC при комнатной температуре. Подзатворный диэлектрик толщиной 30 нм выращен термическим окислением эпитаксиального 6H-SiC с ориентацией (0001)Si (концентрация нескомпенсированных доноров 2.8·1016 см-3) в потоке сухого кислорода с добавлением паров трихлорэтилена. Напряжение пробоя окисла, измеренное в режиме аккумуляции электронов, достигает 25 В, а напряженность поля пробоя 8· 106 В/см. В режиме глубокого неравновесного обеднения МОП структуры выдерживают напряжения до 300/350 В, что свидетельствует об экстремально низкой скорости образования слоя с инверсной дырочной проводимостью на границе раздела SiO2/SiC. Проанализирована малосигнальная комплексная проводимость МОП структуры на частотах 1 кГц и 1 МГц. Обнаружено экспоненциальное энергетическое распределение плотности поверхностных состояний в пределах запрещенной зоны 6H-SiC вблизи зоны проводимости. Интегральная плотность состояний Nt~= 2·1011 см-2, поверхностная плотность заряда, фиксированного в окисле, Nf~= 1011 см-2. Поверхностные ловушки с уровнями вблизи зоны проводимости классифицированы как акцептороподобные (сечение захвата электронов ~ 10-18 см2).
  • J.B. Petit, J.A. Powell, L.B. Matus. \it 1st HiTEC Transactions, ed. by D.B. King., E.V. Thome (Albuquerque NM, 1991) p. 198
  • A. Suzuki, H. Ashida, M. Furui, K. Mameno, H. Matsunami. Japan. J. Appl. Phys., \bf 21, 579 (1982)
  • R.S. Harris. Sol. St. Electron., 12, 103 (1976)
  • П.А. Иванов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 27, 1146 (1993)
  • А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. \it Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- \it на кремнии (Л., 1988). 304 с
  • A.O. Konstantinov. \it Abstracts of ICSCRM-93 (Washington DC, 1993) p. A8
  • G.J. Declerck, T. Hotteri, G.A. May, J. Beaudouin, J.D. Meindl. J. Elecrochem. Soc., \bf 122, 436 (1975)
  • D.L. Heald, R.M. Das, R.P. Khosla. J. Elecrochem. Soc., \bf 123, 302 (1976)
  • M.C. Chen J.W. Hill. J. Elecrochem. Soc., 115, 223 (1972)
  • В.Н. Овсюк. \it Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда, (Новосибирск, 1984)
  • Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. В кн.: \it Справочник по электротехническим материалам (М., 1988) т. 3, разд. 19, p. 446
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.