"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полевой транзистор на основе 6 H-SiC: температурная зависимость проводимости n-канала
Иванов П.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Исследована температурная зависимость проводимости эпитаксиального n-канала в полевом транзисторе на основе 6H-SiC с p-n-затвором в направлении, перпендикулярном гексагональной оси C кристалла, в интервале температур 160/680 K. Канал транзистора легирован азотом до концентрации (Nd-Na)=4.0·1017 см-3, степень компенсации ~ 0.1. Удельная электропроводность sigma канала равномерно распределена по толщине его проводящей части. С ростом температуры она изменяется немонотонно и имеет максимум при температуре вблизи комнатной (sigmamax=4.3 Ом-1· см-1). Анализ температурной зависимости удельной электропроводности показал следующее: концентрация свободных электронов n с ростом температуры в интервале 160--520 K увеличивается за счет ионизации доноров, а затем не изменяется, откуда следует, что удельная электропроводность максимальна при неполной ионизации нескомпенсированных доноров [ степень ионизации n/(Nd-Na)=0.4 ]; дрейфовая подвижность электронов mu уменьшается с ростом температуры во всем интервале 160/680 K: mu [ см2/В· с]=170(T [ K]/300)-2.4.
  1. Г.А. Ломакина. ФТТ, 7, 600 (1965)
  2. L. Patric. J. Appl. Phys., 38, 50 (1967)
  3. D.L. Barrett, R.B. Campbell. J. Appl. Phys., 38, 53 (1967)
  4. Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, \bf 12, 2918 (1970)
  5. B.W. Wessels, H.S. Gatos. J. Phys. Chem. Sol., \bf 38, 345 (1977)
  6. R.S. Allgaier. J. Phys. Chem. Sol., 40, 327 (1979)
  7. T. Tachibana, H.S. Kong, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., \bf 67, 6375 (1990)
  8. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. Письма ЖТФ, \bf 14, 289 (1988)
  9. М.М. Аникин, П.А. Иванов, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 15, 36 (1989)
  10. M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.L. Syrkin, B.V. Tsarenkov. \it Extend. Abstracts of the 176 Electrochem. Soc. Meet., (Hollywood Fla, 1989). P. 724
  11. М.М. Аникин, П.А. Иванов, В.П. Растегаев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 27, 102 (1993)
  12. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. Письма ЖТФ, \bf 17, 1 (1991)
  13. G. Kelner, S. Binari, M. Shur, K. Sleger, J. Palmour, H. Kong. \it Abstracts of the E-MRS Full Meet. (Strasbourg, France, 1990). Abstracts С-3.6
  14. J.W. Palmour, H.S. Kong, D.G. Waltz, J.A. Edmond, C.H. Carter. \it 1st HiTEC Transactions, ed. by D.B.King, E.V.Thome. (Albuquerque NM 1991) p. 511
  15. П.А. Иванов, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1913 (1991)
  16. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
  17. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.М. Стрельчук, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 24, 1384 (1990)
  18. J.A. Edmond, D.G. Waltz, S. Brueckner, H.S. Kong, J.W. Palmour, C.H. Carter. \it 1st HiTEC Transactions, ed. by D.B.King, E.V.Thome. (Albuquerque NM, 1991) p. 500

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.