Исследована температурная зависимость проводимости эпитаксиального n-канала в полевом транзисторе на основе 6H-SiC с p-n-затвором в направлении, перпендикулярном гексагональной оси C кристалла, в интервале температур 160/680 K. Канал транзистора легирован азотом до концентрации (N_d-N_a)=4.0·10¹⁷ см^-3, степень компенсации ~ 0.1. Удельная электропроводность sigma канала равномерно распределена по толщине его проводящей части. С ростом температуры она изменяется немонотонно и имеет максимум при температуре вблизи комнатной (sigma_max=4.3 Ом^-1· см^-1). Анализ температурной зависимости удельной электропроводности показал следующее: концентрация свободных электронов n с ростом температуры в интервале 160-520 K увеличивается за счет ионизации доноров, а затем не изменяется, откуда следует, что удельная электропроводность максимальна при неполной ионизации нескомпенсированных доноров [ степень ионизации n/(N_d-N_a)=0.4 ]; дрейфовая подвижность электронов mu уменьшается с ростом температуры во всем интервале 160/680 K: mu [ см²/В· с]=170(T [ K]/300)^-2.4.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.