"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Полевой транзистор на основе 6 H-SiC: температурная зависимость проводимости n-канала
Иванов П.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Исследована температурная зависимость проводимости эпитаксиального n-канала в полевом транзисторе на основе 6H-SiC с p-n-затвором в направлении, перпендикулярном гексагональной оси C кристалла, в интервале температур 160/680 K. Канал транзистора легирован азотом до концентрации (Nd-Na)=4.0·1017 см-3, степень компенсации ~ 0.1. Удельная электропроводность sigma канала равномерно распределена по толщине его проводящей части. С ростом температуры она изменяется немонотонно и имеет максимум при температуре вблизи комнатной (sigmamax=4.3 Ом-1· см-1). Анализ температурной зависимости удельной электропроводности показал следующее: концентрация свободных электронов n с ростом температуры в интервале 160--520 K увеличивается за счет ионизации доноров, а затем не изменяется, откуда следует, что удельная электропроводность максимальна при неполной ионизации нескомпенсированных доноров [ степень ионизации n/(Nd-Na)=0.4 ]; дрейфовая подвижность электронов mu уменьшается с ростом температуры во всем интервале 160/680 K: mu [ см2/В· с]=170(T [ K]/300)-2.4.
  • Г.А. Ломакина. ФТТ, 7, 600 (1965)
  • L. Patric. J. Appl. Phys., 38, 50 (1967)
  • D.L. Barrett, R.B. Campbell. J. Appl. Phys., 38, 53 (1967)
  • Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, \bf 12, 2918 (1970)
  • B.W. Wessels, H.S. Gatos. J. Phys. Chem. Sol., \bf 38, 345 (1977)
  • R.S. Allgaier. J. Phys. Chem. Sol., 40, 327 (1979)
  • T. Tachibana, H.S. Kong, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., \bf 67, 6375 (1990)
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. Письма ЖТФ, \bf 14, 289 (1988)
  • М.М. Аникин, П.А. Иванов, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 15, 36 (1989)
  • M.M. Anikin, P.A. Ivanov, A.L. Syrkin, B.V. Tsarenkov. \it Extend. Abstracts of the 176 Electrochem. Soc. Meet., (Hollywood Fla, 1989). P. 724
  • М.М. Аникин, П.А. Иванов, В.П. Растегаев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 27, 102 (1993)
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, В.Е. Челноков, А.Е. Черенков. Письма ЖТФ, \bf 17, 1 (1991)
  • G. Kelner, S. Binari, M. Shur, K. Sleger, J. Palmour, H. Kong. \it Abstracts of the E-MRS Full Meet. (Strasbourg, France, 1990). Abstracts С-3.6
  • J.W. Palmour, H.S. Kong, D.G. Waltz, J.A. Edmond, C.H. Carter. \it 1st HiTEC Transactions, ed. by D.B.King, E.V.Thome. (Albuquerque NM 1991) p. 511
  • П.А. Иванов, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1913 (1991)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., 1984) т. 1
  • М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.М. Стрельчук, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 24, 1384 (1990)
  • J.A. Edmond, D.G. Waltz, S. Brueckner, H.S. Kong, J.W. Palmour, C.H. Carter. \it 1st HiTEC Transactions, ed. by D.B.King, E.V.Thome. (Albuquerque NM, 1991) p. 500
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.