"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динистор на основе эпитаксиальных слоев SiC--6 H, выращенных методом сублимации в открытой ростовой системе
Андреев А.Н.1, Иванов П.А.1, Стрельчук А.М.1, Савкина Н.С.1, Челноков В.Е.1, Шапошников И.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Разработана технология создания динисторной структуры на основе SiC-6H методом сублимации в открытой ростовой системе.
  1. В.А. Дмитриев, С.Н. Вайнштейн, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 13, 675 (1987)
  2. V.A. Dmitriev, M.E. Levinshtein, S.N. Vainshtein, V.E. Chelnokov. Electron. Lett., \bf 24, 1213 (1988)
  3. J.A. Edmond, J.W.Palmour, C.H. Carter.\it Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. Charlottesville, 1991 [IEEE MTT (1991)]
  4. М.М. Аникин, Н.В. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., N 10, 1768 (1984)
  5. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pjatko, V.N. Soloviov, A.M. Strelchuk. \it Abstracts 3rd Int. Conf. on Amorphous and Cristalline Silicon Carbide and Other Group IV--IV Materials (Washington, 1990) p. VI.6
  6. М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Е. Черенков. ФТП, \bf 25, 479 (1991)
  7. И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 12, 240 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.