"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние уровня легирования и температуры на эффект Стеблера-Вронского в пленках alpha-Si : H, легированных фосфором
Казанский А.Г.1, Яркин Д.Г.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

В области 300-450 K исследовано влияние длительного освещения на проводимость и фотопроводимость пленок alpha-Si : H с различным уровнем легирования фосфором. Полученные зависимости проводимости от времени освещения изменяются с легированием, температурой освещения и имеют немонотонный характер. Проводимость уменьшается при малых и возрастает при больших временах освещения. Характерные температуры отжига положительной и отрицательной составляющей изменения проводимости различаются. Результаты объясняются существованием двух процессов, происходящих в материале при освещении. Обсуждаются возможные механизмы, приводящие к возрастанию проводимости в результате освещения, связанные с увеличением эффективности легирования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.