"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние легирования на фотопроводимость alpha-Si : H
Казанский А.Г.1, Шамонина Е.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

В работе проанализировано влияние уровня и типа легирования на фотопроводимость пленок alpha-Si : H в области комнатных температур. Показано, что наблюдаемое отличие зависимостей фотопроводимости пленок alpha-Si : H n- и p-типа от уровня легирования и концентрации дефектов может быть связано с различной протяженностью хвостов плотности состояний зоны проводимости и валентной зоны. Большая протяженность хвоста валентной зоны приводит к существенно неравновесному заполнению состояний дефектов в условиях освещения. Вследствие этого концентрация рекомбинационных центров в пленках alpha-Si : H p-типа практически не зависит от уровня легирования и концентрации дефектов и определяется плотностью состояний в хвосте валентной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.