"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния магнитного поля на условия возбуждения и параметры неустойчивостей тока инфранизких частот в Si<S>
Бахадырханов М.К.1, Аскаров Ш.И.1, Курбанова У.X.1
1Ташкентский государственный технический университет им. Беруни,, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 28 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Исследованы влияния продольного и поперечного магнитного поля H нa условия возбуждения и параметры колебаний тока в p-Si<S> с удельным сопротивлением rho>=q103 Ом·см. Показано, что с ростом H величина порогового электрического поля, при котором возбуждаются колебания, линейно возрастает. При этом величина коэффициента пропорциональности повышалась с ростом rho (10-3/105 Ом·см), изменяясь в пределах 2.6/5.6 мВ/Э для поперечного и 2.0/54.0 мВ/Э продольного магнитного поля. Установлено, что с ростом H амплитуда колебаний тока линейно возрастает, а их частота линейно уменьшается. Результаты исследования колебаний тока и наблюдавшаяся в образцах Si<S> остаточная проводимость объясняется в модели случайного потенциального рельефа, обусловленного высокой степенью компенсации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.