"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективность образования радиационных дефектов в p-кремнии, выращенном с использованием магнитного поля
Казакевич Л.А.1, Колковский И.И.1, Кузнецов В.И.1, Лугаков П.Ф.1, Салманов А.Р.1
1Научно-исследовательский институт прикладных проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 5 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Изучены процессы накопления при облучении gamma-квантами от источника 60Co компенсирующих рекомбинационно-активных радиационных дефектов в p-кремнии (удельное сопротивление rho==10/20 Ом·см), выращенном с использованием магнитного поля (M-Si). Экспериментальные результаты получены из измерения температурных зависимостей концентрации и времени жизни носителей заряда на различных этапах облучения и 15-минутного изохронного отжига. Показано, что при увеличении содержания растворенного кислорода в исследуемых кристаллах имеет место увеличение степени радиационного изменения концентрации и времени жизни носителей заряда, однако, коэффициенты, характеризующие изменение, оказываются ниже, чем в кремнии, полученном без воздействия на расплав магнитного поля. Результаты объясняются с учетом накопления при облучении кислородсодержащих комплексов междоузельной углерод-междоузельный кислород, междоузельный бор-междоузельный кислород и углерод-кислород-дивакансия. Скорость образования последних значительно меньше в M-Si из-за равномерного распределения кислорода и отсутствия углерод-кислородных ассоциаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.