Описан метод токовой спектроскопии глубоких уровней. Показано преимущество этого метода над емкостным. Продемонстрировано практическое применение метода при исследовании глубоких центров в p⁺-n-структур на основе 6H-SiC. Установлено, что в светодиодных структурах, имеющих максимум электролюминесценции в зеленой области света, помимо i-центров присутствуют D-центры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.