"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (i-DLTS)
Кузнецов Н.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Описан метод токовой спектроскопии глубоких уровней. Показано преимущество этого метода над емкостным. Продемонстрировано практическое применение метода при исследовании глубоких центров в p+-n-структур на основе 6H-SiC. Установлено, что в светодиодных структурах, имеющих максимум электролюминесценции в зеленой области света, помимо i-центров присутствуют D-центры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.