"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Дисторсия сложного дефекта со слабой связью
Гавричков В.А.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 5 января 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

В рамках простого несамосогласованного подхода рассмотрена возможность дисторсии сложного дефекта, обладающего слабой связью. Приводятся зависимости величины дисторсии двухсоставного дефекта от положения его уровней локальной заселенности и числа носителей в зоне.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.