"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 K при электронном облучении
Жалко-Титаренко И.В.1, Крайчинский А.Н.1, Осташко Н.И.1, Рогуцкий И.С.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 25 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Исследовались процессы образования дефектов в кремнии при электронном облучении в диапазоне температур 10-300 K. Установлено, что эффективность введения дефектов (ЭВД) является немонотонной функцией температуры с максимумом при 60 K в n-типе и минимумом при 120 K в кристаллах обоих типов проводимости. Показано, что ЭВД определяется соотношением вероятностей аннигиляции и диссоциации первичных радиационных дефектов --- пар Френкеля. При этом вероятность аннигиляции или диссоциации определяется коэффициентами диффузии вакансий V и междоузельных атомов Sii в зарядовых состояниях V- и Sii+ и временами жизни tauV в состояниях V- и V0. Установлено, что междоузельный атом вступает в реакцию с атомами примесей в зарядовом состоянии Sii+, а его движение при низкой температуре не может идти за счет смены зарядового состояния Sii+-Sii0 при поочередном захвате электронов и дырок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.