"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование профилей распределения концентрации носителей тока в low-high-переходах с промежуточным слоем противоположного типа легирования
Тетельбаум Д.И.1, Якунин Ю.И.1, Касаткин А.П.1, Мурель А.В.1
1Нижегородский исследовательский физико-технический институт,0, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Методом моделирования на ЭВМ проведен анализ влияния наличия промежуточного слоя противоположного типа легирования в low-high-переходах на профили распределения концентрации носителей тока и встроенного потенциала, что представляется важным в связи с изготовлением на основе структур с такими переходами преобразователей излучений. Моделирование вольт-фарадных характеристик диодов с барьером Шоттки на основе рассматриваемых структур позволяет определить параметры промежуточного слоя, при которых его свойства (при неконтролируемом его возникновении или в случае его специального создания) могут быть исследованы емкостными методами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.