"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизмы образования нарушенного слоя в p-CdTe под действием лазерных импульсов наносекундной длительности
Бабенцов В.Н.1, Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Горбань С.И.1, Даулетмуратов Б.К.1, Мозоль П.Е.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Измерены спектры низкотемпературной фотолюминесценции до и после облучения p-CdTe импульсами излучения рубинового лазера наносекундной длительности с плотностью мощности излучения ниже порога плавления материала. Показано, что по мере увеличения дозы облучения в приповерхностной области материала происходит накопление механических напряжений, которые при достижении порога пластичности кристалла приводят к образованию дислокационной сетки, способствующей релаксации напряжений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.