"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект усиления наведенного фотоплеохроизма в структурах p-n-GaP/p-Si
Беркелиев А.1, Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Представлены экспериментальные результаты измерений фоточувствительности структур p-n-GaP/p-Si, содержащих два встречно включенных энергетических барьера. Показано, что при наклонном падении линейно поляризованного излучения в исследованных структурах возникает поляриметрический эффект, который контролируется углом падения. Обнаружены эффекты поляризационной инверсии знака фототока в зависимости от угла падения, азимутального угла и энергии падающих фотонов линейно поляризованного излучения. Установлено, что в окрестности точки инверсии знака фототока наступает эффект усиления наведенного фотоплеохроизма. Сделан вывод о возможностях применения полученных структур в фотоанализаторах линейно поляризованного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.