"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поляризационная фоточувствительность эпитаксиальных GaP-структур на Si-подложках
Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1, Федоров Л.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 января 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Изложены экспериментальные результаты исследований поляризационной фоточувствительности структур p-n-GaP/n-Si и p-GaP/n-Si, полученных эпитаксией слоев фосфида галлия на кремниевых подложках. Установлено, что структуры обладают фоточувствительностью в различных спектральных областях. Обнаружено возникновение поляризационной фоточувствительности при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность структур GaP/Si, величина коэффициента фотоплеохроизма которых определяется углом падения theta. Фотоплеохроизм возрастает пропорционально theta2, а максимальное значение составило ~50% при theta~=80o. Сделан вывод о возможностях применения структур на основе слоев GaP на Si в качестве поляриметрических фотодетекторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.