"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние галлия на спектры низкотемпературной фотолюминесценции теллурида кадмия при диффузионном легировании
Бабенцов В.Н.1, Власенко А.И.1, Сочинский Н.В.1, Тарбаев Н.И.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

В работе исследовано влияние примеси галлия на низкотемпературную фотолюминесценцию p-CdTe, легированного при 550oC диффузией из расплава. Показано, что при отжиге галлий распространяется в кристалл, активно взаимодействуя с остаточными примесями 1-й группы (Cu, Li), и переводит их из состояния CuCd, LiCd в междоузлия, проявляя донорные свойства в положении GaCd. Редиффузия теллура из образца снижает концентрацию VCd и уменьшает тем самым концентрацию доноров GaCd, что препятствует трансформации проводимости p-> n в приповерхностной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.