"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние галлия на спектры низкотемпературной фотолюминесценции теллурида кадмия при диффузионном легировании
Бабенцов В.Н.1, Власенко А.И.1, Сочинский Н.В.1, Тарбаев Н.И.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 ноября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

В работе исследовано влияние примеси галлия на низкотемпературную фотолюминесценцию p-CdTe, легированного при 550oC диффузией из расплава. Показано, что при отжиге галлий распространяется в кристалл, активно взаимодействуя с остаточными примесями 1-й группы (Cu, Li), и переводит их из состояния CuCd, LiCd в междоузлия, проявляя донорные свойства в положении GaCd. Редиффузия теллура из образца снижает концентрацию VCd и уменьшает тем самым концентрацию доноров GaCd, что препятствует трансформации проводимости p-> n в приповерхностной области.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.