"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сверхрешетки Ge-Ge1-xSix, полученные гидридным методом
Кузнецов О.А.1, Орлов Л.К.1, Дроздов Ю.Н.1, Воротындев В.М.1, Мильвидский М.Г.1, Вдовин В.И.1, Карлес Р.1, Ланда Г.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Впервые приводятся полученные методом просвечивающей электронной микроскопии снимки сечения напряженной сверхрешетки (СР) Ge-Ge1-xSix, выращенной гидридным методом. Выявлен характер распределения дефектов, снимающих упругое воздействие подложки Ge на периодическую структуру. Рентгенодифракционным методом прослежен характер зависимости упругой аккомодации в гетерослоях от их состава и толщины. Обнаружено, что упругие напряжения в приповерхностных слоях сверхрешетки оказывают существенное влияние на спектры электроотражения (ЭО) света в видимом диапазоне частот, приводя к сдвигу и расщеплению спектральных линий. Высокое качество выращенных СР обусловливает возможность наблюдения дублетов в спектрах комбинационного рассеяния света, что также отмечается нами впервые.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.