"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Приграничные электронные состояния в полупроводниковых (IV-VI) сверхрешетках
Канцер В.Г.1, Малкова Н.М.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 10 апреля 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

В рамках двухзонной схемы метода эффективной массы рассмотрен энергетический спектр приграничных электронных состояний в сверхрешетках, сформированных из полупроводников AIVBVI с нормальным спектром. Проведен анализ дисперсионных кривых приграничных состояний в зависимости от отношения толщин слоев a и b. Получено, что при одинаковых отношениях толщин слоев область существования приграничных состояний максимальна и уменьшается по мере уменьшения (или увеличения) одной из величин a и b. Спектр приграничных состояний при a=b является почти линейным. При увеличении разности между a и b отклонение спектра от линейного становится более существенным.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.