"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О роли H+2-комплексов в оптимизации n-InSb-смесителей миллиметрового диапазона волн
Гершензон Е.М.1, Грачев С.А.1, Литвак-Горская Л.Б.1
1Московский педагогический государственный университет им. В.И. Ленина,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Определены параметры n-InSb и рабочие температуры, при которых в смесителе из этого материала получаются минимальные потери преобразования для различных длин волн в диапазоне 0.3/3 мм. Показаны границы применимости разогревной модели преобразования частоты в n-InSb-смесителе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.