"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Плотность дефетктов в приповерхностной области слоев аморфного гидрированного кремния
Голикова О.А.1, Домашевская Э.П.1, Мавлянов X.Ю.1, Терехов В.А.1, Тростянский С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Приводятся результаты исследований плотности дефектов оборванных Si-Si-связей в приповерхностной области (15-100 нм) слоев a-Si : H, приготовленных методом псевдолегирования, т. е. при varepsilonF =var без специального легирования (varepsilonF --- уровень Ферми в объеме слоя). Для исследований применялись методы ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и постоянного фототока. Получена количественная информация о распределении плотности оборванных связей в зависимости от глубины зондирования слоя и положения varepsilonF В объеме. Получены также данные о параметре Урбаха в приповерхностной области слоев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.