"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инфракрасная фотопроводимость и люминесценция квантовых ям в многослойных гетероструктурах CaAs/AlGaAs
Горбылев В.А.1, Залевский И.Д.1, Петров А.И.1, Чельный А.А.1, Аветисян Г.X.1, Куликов В.Б.1, Чукичев В.М.1, Юнович А.Э.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Спектры фотопроводимости, обусловленной оптическими переходами из локализованных состояний в квантовых ямах GaAs/AlGaAs в состояния в континууме, сопоставлены со спектрами катодолюминесценции. Структуры были изготовлены методом МОС гидридной эпитаксии с толщинами слоев GaAs 3/ 6, AlxGa1-xAs (x=0.28/ 0.35) 30/ 50 нм и числом периодов до 70. Спектры фотопроводимости с максимумом в области длин волн 8/10 мкм имеют особенности, которые можно объяснить, считая существенным возбуждение электронов как с первых уровней размерного квантования в ямах, так и с уровней доноров или хвостов плотности состояний в этих ямах. Основные максимумы в спектрах люминесценции структур соответствуют излучательной рекомбинации электронов на донорах с дырками в квантовых ямах. Энергия активации темнового тока фотоприемников при малых напряжениях и температурах 40/90 K соответствовала порогу фотовозбуждения и была -0.12 эВ. Чувствительность фотоприемников с меза-структурами диаметром 200 мкм составляла 0.8 А/Вт.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.