"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция из квантовой ямы с высокой концентрацией фотоносителей
Алешкин В.Я.1, Красильник 3.Ф.1, Ревин Д.Г.1
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Исследована фотолюминесценция из гетероструктуры с одиночной квантовой ямой в системе GaAs-In0.15Ga0.85As при больших мощностях возбуждения (до 106 Вт/см2) и высоких концентрациях фотоносителей (~1014 см-2). Благодаря заполнению фотоносителями состояний в квантовой яме спектр фотолюминесценции в этих условиях имеет особенности при энергиях, соответствующих оптическим переходам между несколькими подзонами размерного квантования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.