"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние смещения на фотоотклик кремниевых структур при освещении импульсации CO2-лазера
Ашмонтас С.1, Градаускас И.1, Ширмулис Э.1
1Институт физики полупроводников,, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 25 января 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Исследована кинетика импульса фототока, текущего через p-p+-переход, в кремнии при освещении импульсом излучения CO2-лазера. Установлено, что при температуре жидкого азота фотоотклик обусловлен не только разогревом дырочного газа и кристаллической решетки, но и изменением концентрации носителей заряда из-за их генерации с примесных уровней. Показано, что температурная зависимость изменения удельного сопротивления образца при воздействии излучением лазера связана с деионизацией примеси. Экспериментально установлено, что при достижении определенного уровня мощности лазерного излучения процесс генерации носителей заряда с примесных уровней начинает насыщаться.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.