"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поведение бора и азота в приповерхностном слое кремния при синтезе захороненных слоев имплантацией ионов N+
Качурин Г.А.1, Тысченко И.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Исследованы электрофизические свойства легированных бором приповерхностных слоев кремния при имплантации больших доз ионов N+ с энергией 200 кэВ. При измерениях проводимости и эффекта Холла на разных стадиях изохронного (t=103 с, T = 700-1200oC) и изотермического (t=102-105 с, T=800oC) отжигов выявлен ряд важных эффектов: 1) накопление атомов бора у поверхности; 2) нейтрализация бора даже при уровнях легирования >1020 см-3; 3) появление донорных центров, один пик распределения которых соответствует распределению бора, а другой локализован на глубине максимальных упругих потерь ионов N+; 4) последовательные изменения типа проводимости приповерхностного слоя с ростом температуры или длительности отжигов. Эффекты объяснены распадом при отжигах пересыщенного раствора N в Si, сопровождающимся образованием преципитатов нитрида кремния, восстановлением нарушенной структуры и эмиссией подвижных точечных дефектов. Последние обусловливают ускоренную восходящую диффузию бора к поверхности. Сами атомы бора наряду с радиационными повреждениями являются центрами преципитации нитрида, причем бор в результате теряет свойства акцептора, а преципитаты вводят эквивалентное количество доноров. Изменения типа проводимости приповерхностного слоя в процессе отжигов связаны с последовательными образованием и распадом преципитатов, что определяется их размерами, температурой и уровнем пересыщения кремния азотом вокруг центров осаждения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.