"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектральные и электрические характеристики гетероструктур n-GaAs-(n-p)-AlxGa1-xAs-p-Al(y>x)Ga1-yAs-p+-GaAs с ультратонкими поверхностными слоями
Андреев В.М.1, Калиновский В.С.1, Миланова М.М.1, Минтаиров А.М.1, Румянцев В.Д.1, Смекалкин К.Е.1, Стругова Е.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Исследованы зависимости темновых вольт-амперных характеристик и спектров фотоответа гетероструктур n-GaAs-(n-p)-AlxGa1-xAs-p-Al(y>x)Ga1-yAs-p+-GaAs от состава фотоактивной области (x=0-0.7), толщины и состава слоя широкозонного окна p-AlyGa1-yAs (D=0-300 x, y=0.85-0.95) и толщины наружного слоя p+-GaAs (d=0-300 x). Установлено, что в таких структурах минимальные значения плотности обратных темновых токов jd~ 10-12 А/см2 достигаются при x=0.3 (T=300 K), а максимальные значения коэффициента собирания фотогенсрированных носителей в ультрафиолетовой области (при lambda=400 нм) Quv=0.75 имеют место при d, D=70 x, y=0.95 и x=0. Показано, что увеличение ультрафиолетовой чувствительности в этом случае обусловлено аккумулированием поверхностного объемного заряда в сильно легированном слое p+-GaAs и минимизацией потерь, связанных с поглощением света в слое широкозонного окна и наружном слое p+-GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.