"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структурные дефекты и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев InxGa1-xAs
Семенова Г.Н.1, Кладько В.П.1, Крыштаб Т.Г.1, Садофьев Ю.Г.1, Свительский А.В.1, Корытцев С.В.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 декабря 1992 г.

Методами низкотемпературной фотолюминесценции (ФЛ), рентгеновской топографии и дифрактометрии изучалось влияние состава твердого раствора на структуру и свойства эпитаксиальных слоев InxGa1-xAs для интервала составов (0.002=< x=< 0.01), полученных молекулярно-лучевой технологией. Показано, что по мере увеличения степени изовалентного легирования эпитаксиальных слоев на фоне релаксации внутренних напряжений путем введения дислокаций несоответствия наблюдается преобразование спектра ФЛ в области 1.3=< hnu=< 1.5 эВ, сопровождающееся немонотонным поведением интенсивности краевой полосы и квантового выхода ФЛ, связанное с изменением числа центров безызлучательной рекомбинации, а также перераспределением остаточной акцепторной примеси углерода (CAs) по глубине пленки вследствие геттерирующего влияния дислокаций несоответствия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.