ФТП, 2010, том 44, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов

В.В.Лундин\kern1pt*+, Е.Е.Заварин\kern1pt*+, М.А.Синицын\kern1pt*+, А.В.Сахаров\kern1pt*+, С.О.Усов\kern1pt*+,
А.Е.Николаев\kern1pt*+, Д.В.Давыдов\kern1pt*+, Н.А.Черкашин\kern1pt, А.Ф.Цацульников\kern1pt*+

* Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур
при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Center for Material Elaboration \& Structural Studies (CEMES)
of the National Center for Scientific Research (CNRS)
31055 Toulouse, France

(Получена 8 июня 2009 г. Принята к печати 15 июня 2009 г.)

Исследовано влияние давления в реакторе при росте активных областей InGaN/GaN светодиодов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на их электролюминесцентные и структурные свойства. Показано, что при увеличении давления происходит трансформация слоев InGaN от сплошных в латеральном направлении к слоям изолированных InGaN-островков. Данная трансформация влияет как на эффективность излучения, так и на зависимость эффективности от тока.

 PDF версия (871Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster