ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si1-xGex : Er, связанные с ионами Er3+

Л.В.Красильникова , М.В.Степихова, Н.А.Байдакова, Ю.Н.Дроздов,
З.Ф.Красильник, В.Ю.Чалков *, В.Г.Шенгуров *

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 31 октября 2008 г. Принята к печати 17 ноября 2008 г.)

Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si1-xGex : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er3+, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si1-xGex : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si1-xGex : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодеожащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si1-xGex : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров --- германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния.

PACS: 71.55.Ht, 78.55.Ap, 78.55.Hx, 78.66.Db, 78.66.Li

 PDF версия (345Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster