"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов
Александров О.В.1, Козловский В.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температурой происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов --- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций --- с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. PACS: 61.80.Jh, 68.35.Dv, 68.35.Fx, 68.55.Jk, 68.55.Nq, 73.40.Cg
  1. F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 781 (2005)
  2. J. Crofton, L.M. Porter, J.R. Williams. Phys. Status Solidi B, 202 (1), 581 (1997)
  3. C.S. Pai, C.M. Hanson, S.S. Lau. J. Appl. Phys., 57 (2), 618 (1985)
  4. I. Ohdomari, S. Sha, H. Aochi, T. Chikyow. J. Appl. Phys., 62 (9), 3747 (1987)
  5. J. Crofton, P.G. McMullin, J.R. Williams, M.J. Bozack. J. Appl. Phys., 77 (3), 1317 (1995)
  6. W.F. Slijkerman, A.E. Fischer, J.F. van der Veen, I. Ohdomary, S. Yoshida, S. Misawa. J. Appl. Phys., 66 (2), 666 (1989)
  7. F. La Via, F. Roccaforte. Microelectron. Eng., 70, 519 (2003)
  8. F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri, L. Calcagno, P. Musumeci. Appl. Surf. Sci., 184, 295 (2001)
  9. A. Kakanakova-Georgieva, T. Marinova, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Brylinski. Thin Sol. Films, 343-- 344, 637 (1999)
  10. I.P. Nikitina, K.V. Vassilevski, N.G. Wright, A.B. Horsfall, A.G. O'Neill, C.M. Johnson. J. Appl. Phys., 97 (8), 083 709 (2005)
  11. E. Kurimoto, H. Harima, T. Toda, M. Sawada, M. Iwami, S. Nakashima. J. Appl. Phys., 91 (12), 10 215 (2002)
  12. S.Y. Han, K.H. Kim, J.K. Kim, H.W. Jang, K.H. Lee, N.-K. Kim, E.D. Kim, J.-L. Lee. Appl. Phys. Lett., 79 (12), 1816 (2001)
  13. S.Y. Han, J.-L. Lee. J. Electrochem. Soc., 149 (3), G189 (2002)
  14. L. Calcagno, E. Zanetti, F.La Via, F. Roccaforte. Mater. Sci. Forum, 433-- 436, 721 (2003)
  15. F. Roccaforte, L. Calcagno, P. Musumeci, F.La Via. Mater. Sci. Forum, 353-356, 255 (2001)
  16. V.V. Kozlovski, V.N. Lomasov, D.S. Rumyantsev, I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, T.P. Samsonova, H.I. Helava, L.O. Ragle. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 215 (3--4), 385 (2004)
  17. В.В. Козловский, П.А. Иванов, Д.С. Румянцев, В.Н. Ломасов, Т.П. Самсонова. ФТП, 38 (7), 778 (2004)
  18. A.D. Smigelskas, E.O. Kirkendall. Trans. AIME, 171, 130 (1947)
  19. L.S. Darken. Trans. AMIE, 175, 184 (1948)
  20. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции, под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: Thin Films --- Interdiffusion and Reactions, ed. by J.M. Poate, K.N. Tu and J.W. Mayer (N.Y., John Wiley\&Sons, 1978)]
  21. B.A. Julies, D. Knoesen, R. Pretorius, D. Adams. Thin Sol. Films, 347, 201 (1999)
  22. J.H. Guppen, A.A. Kodentsov, F.J.J. van Loo. Z. Metallkd., 86, 530 (1995)
  23. K. Bhanumurthy, R. Schmid-Fetzer, Composites A, 32 (3--4), 569 (2001)
  24. Yu. Kudriavtsev, A. Villegas, A. Godines, R. Asomoza. Appl. Surf. Sci., 206, 187 (2003)
  25. M.-P. Macht, A. Muller, V. Naundorf, H. Wollenberger. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 16 (2--3), 148 (1986)
  26. J.C. Ciccarello, S. Poize, P. Gas. J. Appl. Phys., 67, 3315 (1990)
  27. R. Nagel, K. Weyrich, D.H.H. Hofmann, A.G. Balogh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 178, 315 (2001)
  28. A. Bachli, M.-A. Nicolet, L. Baud, C. Jaussaud, R. Madar. Mater. Sci. Eng. B, 56 (1), 11 (1998)
  29. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  30. Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС (М., Мир, 1986) [Пер. с англ.: S.P. Murarka. Silicides for VLSI applications (N.Y., Academic Press, 1984)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.