"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов
Александров О.В.1, Козловский В.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июня 2009 г.

Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температурой происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов --- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций --- с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. PACS: 61.80.Jh, 68.35.Dv, 68.35.Fx, 68.55.Jk, 68.55.Nq, 73.40.Cg
  • F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 781 (2005)
  • J. Crofton, L.M. Porter, J.R. Williams. Phys. Status Solidi B, 202 (1), 581 (1997)
  • C.S. Pai, C.M. Hanson, S.S. Lau. J. Appl. Phys., 57 (2), 618 (1985)
  • I. Ohdomari, S. Sha, H. Aochi, T. Chikyow. J. Appl. Phys., 62 (9), 3747 (1987)
  • J. Crofton, P.G. McMullin, J.R. Williams, M.J. Bozack. J. Appl. Phys., 77 (3), 1317 (1995)
  • W.F. Slijkerman, A.E. Fischer, J.F. van der Veen, I. Ohdomary, S. Yoshida, S. Misawa. J. Appl. Phys., 66 (2), 666 (1989)
  • F. La Via, F. Roccaforte. Microelectron. Eng., 70, 519 (2003)
  • F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri, L. Calcagno, P. Musumeci. Appl. Surf. Sci., 184, 295 (2001)
  • A. Kakanakova-Georgieva, T. Marinova, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Brylinski. Thin Sol. Films, 343-- 344, 637 (1999)
  • I.P. Nikitina, K.V. Vassilevski, N.G. Wright, A.B. Horsfall, A.G. O'Neill, C.M. Johnson. J. Appl. Phys., 97 (8), 083 709 (2005)
  • E. Kurimoto, H. Harima, T. Toda, M. Sawada, M. Iwami, S. Nakashima. J. Appl. Phys., 91 (12), 10 215 (2002)
  • S.Y. Han, K.H. Kim, J.K. Kim, H.W. Jang, K.H. Lee, N.-K. Kim, E.D. Kim, J.-L. Lee. Appl. Phys. Lett., 79 (12), 1816 (2001)
  • S.Y. Han, J.-L. Lee. J. Electrochem. Soc., 149 (3), G189 (2002)
  • L. Calcagno, E. Zanetti, F.La Via, F. Roccaforte. Mater. Sci. Forum, 433-- 436, 721 (2003)
  • F. Roccaforte, L. Calcagno, P. Musumeci, F.La Via. Mater. Sci. Forum, 353-356, 255 (2001)
  • V.V. Kozlovski, V.N. Lomasov, D.S. Rumyantsev, I.V. Grekhov, P.A. Ivanov, T.P. Samsonova, H.I. Helava, L.O. Ragle. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 215 (3--4), 385 (2004)
  • В.В. Козловский, П.А. Иванов, Д.С. Румянцев, В.Н. Ломасов, Т.П. Самсонова. ФТП, 38 (7), 778 (2004)
  • A.D. Smigelskas, E.O. Kirkendall. Trans. AIME, 171, 130 (1947)
  • L.S. Darken. Trans. AMIE, 175, 184 (1948)
  • Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции, под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: Thin Films --- Interdiffusion and Reactions, ed. by J.M. Poate, K.N. Tu and J.W. Mayer (N.Y., John Wiley\&Sons, 1978)]
  • B.A. Julies, D. Knoesen, R. Pretorius, D. Adams. Thin Sol. Films, 347, 201 (1999)
  • J.H. Guppen, A.A. Kodentsov, F.J.J. van Loo. Z. Metallkd., 86, 530 (1995)
  • K. Bhanumurthy, R. Schmid-Fetzer, Composites A, 32 (3--4), 569 (2001)
  • Yu. Kudriavtsev, A. Villegas, A. Godines, R. Asomoza. Appl. Surf. Sci., 206, 187 (2003)
  • M.-P. Macht, A. Muller, V. Naundorf, H. Wollenberger. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 16 (2--3), 148 (1986)
  • J.C. Ciccarello, S. Poize, P. Gas. J. Appl. Phys., 67, 3315 (1990)
  • R. Nagel, K. Weyrich, D.H.H. Hofmann, A.G. Balogh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 178, 315 (2001)
  • A. Bachli, M.-A. Nicolet, L. Baud, C. Jaussaud, R. Madar. Mater. Sci. Eng. B, 56 (1), 11 (1998)
  • В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  • Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС (М., Мир, 1986) [Пер. с англ.: S.P. Murarka. Silicides for VLSI applications (N.Y., Academic Press, 1984)].
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.