Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN

Беляев А.Е.¹, Болтовец Н.С.², Иванов В.Н.³, Капитанчук Л.М.², Конакова Р.В.¹, Кудрик Я.Я.¹, Литвин О.С.¹, Миленин В.В.¹, Шеремет В.Н.¹, Свешников Ю.Н.⁴

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
³Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
⁴ЗАО Элма

Поступила в редакцию: 15 октября 2008 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены радиационные эффекты в многослойной металлизации Au-Ti-Al-Ti-n-GaN при воздействии gamma-квантов ⁶⁰Co в диапазоне доз 4·10⁶-2·10⁷ Гр на исходные и подвергнутые кратковременному высокотемпературному отжигу в атмосфере азота контактные структуры. Радиационные воздействя не оказывают существенного влияния на свойства структур, не подвергнутых термообработкам. Кратковременный отжиг при 700^oC приводит к разрушению слоевой структуры контактов. Морфологические и структурные трансформации в контактной металлизации, вызванные термоотжигом, усиливаются при радиационных воздействиях. Комбинированная радиационно-термическая обработка способствует усилению массопереноса между контактирующими слоями. Кроме того, после облучения до дозы 2·10⁷ Гр примесные атомы кислорода пронизывают всю контактную структуру и в значительном количестве наблюдаются в приконтактной области GaN. PACS: 85.40.Ls; 85.30.Hi

A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, K.D. Shcherbatchev, V.T. Bublik, M.I. Voronova, I.-H. Lee, C.R. Lee, S.J. Pearton, A. Dabirian, A.V. Osinsky. J. Appl. Phys., 100 (9), 093 715 (2006)
A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, A.M. Dabiran, A.M. Wowchak, B. Cui, A.V. Osinsky, P.P. Chow, N.G. Kolin, V.M. Boiko, D.I. Merkurisov. Appl. Phys. Lett., 93 (15), 159 101 (2008)
A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, N.Y. Pashkova, J. Kim, F. Ren, M.E. Overberg, G.T. Thaler, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, R.G. Wilson. J. Appl. Phys., 92 (6), 3130 (2002)
K.J. Seop, S.E. Mohney, Je-Yi Lin, R.S. Kern. Semicond. Sci. Technol., 15 (7), 756 (2000)
M. Pidun, P. Karduck, J. Mayere, K. Heime, D. Schineller, T. Walther. Appl. Surf. Sci., 179 (1--4), 213 (2001)
N.A. Papanicolaou, K. Zekentes. Sol. St. Electron., 46 (11), 1975 (2002)
S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7940 (2004)
Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
В.Н. Данилин, Ю.П. Докучаев, Т.А. Жукова, М.А. Комаров. Обзоры по электрон. технике. Сер. 1. СВЧ техника, вып. 1, (2001)
Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов. ФТП, 32 (7), 832 (1988)
A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov. SPQEO, 10 (4), 1 (2007)
А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, Ю.Н. Свешников. Письма ЖТФ, 31 (24), 88 (205)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель