"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN
Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Иванов В.Н.3, Капитанчук Л.М.2, Конакова Р.В.1, Кудрик Я.Я.1, Литвин О.С.1, Миленин В.В.1, Шеремет В.Н.1, Свешников Ю.Н.4
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Орион", Киев, Украина
4ЗАО Элма
Поступила в редакцию: 15 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Рассмотрены радиационные эффекты в многослойной металлизации Au-Ti-Al-Ti-n-GaN при воздействии gamma-квантов 60Co в диапазоне доз 4·106-2·107 Гр на исходные и подвергнутые кратковременному высокотемпературному отжигу в атмосфере азота контактные структуры. Радиационные воздействя не оказывают существенного влияния на свойства структур, не подвергнутых термообработкам. Кратковременный отжиг при 700oC приводит к разрушению слоевой структуры контактов. Морфологические и структурные трансформации в контактной металлизации, вызванные термоотжигом, усиливаются при радиационных воздействиях. Комбинированная радиационно-термическая обработка способствует усилению массопереноса между контактирующими слоями. Кроме того, после облучения до дозы 2·107 Гр примесные атомы кислорода пронизывают всю контактную структуру и в значительном количестве наблюдаются в приконтактной области GaN. PACS: 85.40.Ls; 85.30.Hi
  • A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, K.D. Shcherbatchev, V.T. Bublik, M.I. Voronova, I.-H. Lee, C.R. Lee, S.J. Pearton, A. Dabirian, A.V. Osinsky. J. Appl. Phys., 100 (9), 093 715 (2006)
  • A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, A.M. Dabiran, A.M. Wowchak, B. Cui, A.V. Osinsky, P.P. Chow, N.G. Kolin, V.M. Boiko, D.I. Merkurisov. Appl. Phys. Lett., 93 (15), 159 101 (2008)
  • A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, N.Y. Pashkova, J. Kim, F. Ren, M.E. Overberg, G.T. Thaler, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, R.G. Wilson. J. Appl. Phys., 92 (6), 3130 (2002)
  • K.J. Seop, S.E. Mohney, Je-Yi Lin, R.S. Kern. Semicond. Sci. Technol., 15 (7), 756 (2000)
  • M. Pidun, P. Karduck, J. Mayere, K. Heime, D. Schineller, T. Walther. Appl. Surf. Sci., 179 (1--4), 213 (2001)
  • N.A. Papanicolaou, K. Zekentes. Sol. St. Electron., 46 (11), 1975 (2002)
  • S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7940 (2004)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  • В.Н. Данилин, Ю.П. Докучаев, Т.А. Жукова, М.А. Комаров. Обзоры по электрон. технике. Сер. 1. СВЧ техника, вып. 1, (2001)
  • Ю.Г. Шретер, Ю.Т. Ребане, В.А. Зыков, В.Г. Сидоров. Широкозонные полупроводники (СПб., Наука, 2001)
  • А.Н. Андреев, М.Г. Растегаева, В.П. Растегаев, С.А. Решанов. ФТП, 32 (7), 832 (1988)
  • A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov. SPQEO, 10 (4), 1 (2007)
  • А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, П.М. Литвин, В.В. Миленин, Ю.Н. Свешников. Письма ЖТФ, 31 (24), 88 (205)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.