ФТП, 2009, том 43, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC:
особенности токопереноса в выпрямляющих
и невыпрямляющих контактах

О.А.Агеев, А.Е.Беляев\kern1pt*, Н.С.Болтовец\kern1pt$, В.Н.Иванов\kern1pt$, Р.В.Конакова\kern1pt*, Я.Я.Кудрик\kern1pt*,
П.М.Литвин\kern1pt*, В.В.Миленин\kern1pt*, А.В.Саченко\kern1pt*

Технологический институт Южного федерального университета,
347924 Таганрог, Россия
* Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
$ Государственное предприятие Научно-исследовательский институт \glqq Орион\grqq,
03057 Киев, Украина

(Получена 21 августа 2008 г. Принята к печати 1 октября 2008 г.)

Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiBx на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~1018 см-3 и концентрацией дислокаций ~(106-108) см-2. Показано, что при температурах T=<sssim400 K токоперенос определяется туннельным током вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. При T>400 K происходит смена механизма токопереноса на термоэлектронный с высотой барьера ~0.64 эВ и фактором неидеальности, близким к 1.3.

PACS: 73.25.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 73.40.Gk

 PDF версия (1.2Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster