Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnP2 моноклинной и тетрагональной модификаций: получение и свойства
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 2 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
Методом пересублимации в замкнутом объеме выращены монокристаллы моноклинной и тетрагональной модификаций, атомный состав которых одинаков и соответствует стехиометрии ZnP2. Определены параметры кристаллической решетки и идентифицирована естественная огранка кристаллов обеих модификаций. На полученных монокристаллах созданы первые барьеры Шоттки и сварные точечные структуры, на которых обнаружены выпрямление и фотовольтаический эффект. На основании первых исследований спектров фоточувствительности полученных структур в естественном и линейно-поляризованном излучении сделаны выводы о характере межзонных переходов, определены значения ширины запрещенной зоны и обнаружено влияние позиционного упорядочения атомов на свойства структур. Обнаружено и изучено явление естественного фотоплеохроизма в структурах на основе ориентированных монокристаллов ZnP2. Сделан вывод о возможностях применения дифосфида цинка в фотопреобразователях интенсивности и поляризации оптических излучений. PACS: 61.10-i, 61.82.Fk
- П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
- В.Б. Лазарев, В.Я. Шевченко, Я.Х. Гринберг, В.В. Соболев. Полупроводниковые соединения группы AIIIBVI (М., Наука, 1978)
- И.С. Горбань, В.В. Луговской, И.И. Тычина, А.В. Федотовский. Письма ЖЭТФ, 17, 193 (1973)
- А.А. Вайполин, Ю.А. Валов, Р.В. Масагутова, Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь. ФТП, 14, 133 (1980)
- Ю.В. Рудь. Автореф. канд. дис. (Ульяновск, УльянГУ, 2005)
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой, В.Б. Лазарева (М., Наука, 1979)
- А.А. Вайполин, Н.А. Горюнова, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь, Д.Н. Третьяков. ДАН СССР, 154, 1116 (1964)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
- E. Hermandes. Cryst. Res. Technol., 33, 285 (1998)
- Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
- A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
- Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 1921 (1996).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
