ФТП, 2009, том 43, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO2-Si

В.М.Калыгина\kern1pt, В.Ю.Грицык

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова
Томского государственного университета,
634050 Томск, Россия

(Получена 7 июля 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Исследовано влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO2-n-Si и временные зависимости изменений емкости при фиксированных смещениях на диоде. В отличие от других восстановительных газов, изменение емкости в газовой смеси CO/воздух имеет немонотонный характер. Во время экспозиции в газовой атмосфере вольт-фарадные характеристики сначала смещаются в область более высоких положительных напряжений, а затем они возвращаются и движутся вдоль оси напряжений в более низкие смещения. Резкий спад емкости в течение первых нескольких секунд газового импульса сменяется более медленным ростом емкости до нового стационарного значения, которое зависит от концентрации монооксида углерода. Результаты объясняются с учетом мостиковой и линейной форм адсорбции CO на поверхности SiO2.

PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 82.65.+r, 85.30.Tv

 PDF версия (833Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster