Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения
Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.
Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0.6 Вт/см2). Выявлены уровни с термической энергией активации 0.44, 0.40, 0.37, 0.48 и 0.46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом BSO2i, а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса BSO2i. PACS: 43.35.Ty, 71.55.Cn, 61.72.Ji
- Л.С. Смирнов. ФТП, 35 (9), 1029 (2001)
- В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34 (2), 129 (2000)
- А.Р. Челядинский, Ф.Ф. Комаров. УФН, 173 (8), 813 (2003)
- Е.М. Зобов, М.Е. Зобов, Ф.С. Габибов, И.К. Камилов, Ф.И. Маняхин, Е.К. Наими. ФТП, 42 (3), 282 (2008)
- А.А. Подолян, В.И. Хиврич. Письма ЖТФ, 31 (10), 11 (2005)
- Я.М. Олих, Н.Д. Тимочко, А.П. Долголенко. Письма ЖТФ, 32 (13), 67 (2006)
- A. Romanyuk, V. Spassov, V. Melnik. J. Appl. Phys., 99, 034 314 (2006)
- П.Б. Парчинский, С.И. Власов, Л.Г. Лигай. ФТП, 40 (7), 829 (2006)
- С.В. Булярский, М.О. Воробьев, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Письма ЖТФ, 25 (5), 22 (1999)
- В.В. Сердюк. Физика солнечных элементов (Одесса, Логос, 1994)
- P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29 (10), 1041 (1986)
- S.Zh. Karazhanov. Semicond. Sci. Technol., 16 (4), 276 (2001)
- J. Schmidt, K. Bothe, D. Macdonald, J. Adey, R. Jones, D.W. Palmer. J. Mater. Res., 21 (1), 5 (2006)
- S. Rein, S.W. Glunz. Appl. Phys. Lett., 82 (7), 1054 (2003)
- О.Я. Олих, И.В. Островский. ФТТ, 44 (7), 1198 (2002)
- J. Adey, R. Jones, D.W. Palmer, P.R. Briddon, S. Oberg. Phys. Rev. Lett., 93 (5), 055 504 (2004)
- R.D. Harris, J.L. Newton, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 36 (2), 1094 (1987)
- П.Ф. Лугаков, В.Д. Ткачев, В.В. Шуша. ФТП, 13 (5), 875 (1979)
- V. Kveder, M. Kittler, W. Schroter. Phys. Rev. B, 63 (11), 115 208 (2001)
- В.В. Лукьяница. ФТП, 37 (4), 422 (2003)
- В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, НЛТ, 2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук