Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC

Лебедев А.А.¹, Абрамов П.Л.¹, Богданова Е.В.¹, Зубрилов А.С.¹, Лебедев С.П.¹, Нельсон Д.К.¹, Середова Н.В.¹, Смирнов А.Н.¹, Трегубова А.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 5 августа 2008 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2009 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6)·10¹⁸ см^-3. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Mm, 68.55.Jk, 73.61.Le, 78.30.Hv

Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev and M.S. Shur (John Wiley \& Sons, Hoboken, N. J., 2001)
A.A. Lebedev. Semicond. Sci. Technol., 21, R17 (2006)
А.А. Лебедев, П.Л. Абрамов, В.В. Зеленин, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, М.П. Щеглов, А.С. Трегубова. ФТП, 41, 273 (2007)
А.А. Лебедев, В.В. Зеленин, П.Л. Абрамов, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, Л.М. Сорокин, М.П. Щеглов, R. Yakimova. Письма ЖТФ, 33 (12), 61 (2007)
F.R. Chien, S.R. Nutt, W.S. Yoo, T. Kimoto, H. Matsunami. J. Mater. Res., 9 (4), 940 (1994)
A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Sci. Technol., 124 (2), 241 (1977)
D.W. Feldman, J.H. Parker, jr., W.J. Choyke, L. Parker. Phys. Rev., 173, 787 (1968)
M.V. Klein. In: Light Scattering in Solids, v. 1, ed. by M. Cardona (Springer, Berlin, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель