ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления
по мощности fmax до 100 ГГц

В.Г.Мокеров\kern1pt, А.Л.Кузнецов, Ю.В.Федоров, Е.Н.Енюшкина, А.С.Бугаев,
А.Ю.Павлов, Д.Л.Гнатюк, А.В.Зуев, Р.Р.Галиев, Е.Н.Овчаренко,
Ю.Н.Свешников\kern1pt*, А.Ф.Цацульников\kern1pt+, В.М.Устинов\kern1pt+

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук,
117105 Москва, Россия
* ЗАО Элма-Малахит--Концерн Энергомера,
124460 Зеленоград, Россия
+ Санкт-Петербургский Физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 4 сентября 2008 г. Принята к печати 22 сентября 2008 г.)

Исследованы AlGaN/GaN HEMT --- (High Electron Mobility Transistor) --- транзисторы с секционированными затворами, с различными длинами затворов Lg от 170 нм до 0.5 мкм и с их ширинами Wg=nWng (где Wng --- ширина секций и n --- их количество) от 100 до 1200 мкм. По измеренным S-параметрам определены предельные частоты усиления по току ft, по мощности fmax и коэффициенты усиления MSG/MAG на частотах 10, 20 и 30-40 ГГц. Исследована зависимость частоты ft от длины затвора. При Lg=170 нм ft достигает 48 ГГц. Проанализированы зависимости частоты fmax от размеров затворов и их топологии. С уменьшением Lg и Wng fmax растет и при Lg=170 нм и Wg=100 мкм достигает 100 ГГц. Найдены оптимальные значения ширин затворов Wg и выходной мощности базовых транзисторов для различных частот. В разработанной 170 нм-AlGaN/GaN-HEMT-технологии сочетаются и высокие частотные характеристики (fmax=100 ГГц) и большие пробивные напряжения (115 В), что делает ее привлекательной для функционирования на частотах до 40 ГГц.

PACS: 73.61.Ey, 84.37.+q, 84.40.Lj, 85.30.-z, 85.30.De, 85.35.-p

 PDF версия (1.2Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster