ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs
с двумерным электронным газом

А.В.Антонов, В.И.Гавриленко, К.В.Маремьянин\kern1pt, С.В.Морозов, F.Teppe\kern1pt*, W.Knap\kern1pt*

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Groupe d'Etude de Semiconducteurs, CNRS-Universite Montpellier 2,
34095 Montpellier, France

(Получена 7 августа 2008 г. Принята к печати 2 сентября 2008 г.)

Исследовано резонансное детектирование терагерцового излучения субмикронными полевыми транзисторами GaAs/AlGaAs (длина затвора L=250 нм) с двумерным электронным газом в канале при T=4.2 K. Для таких транзисторов впервые продемонстрировано смещение максимума отклика (фотоэдс сток-исток) с ростом частоты в область больших напряжений на затворе в соответствии с моделью Дьяконова-Шура. Показано, что при повышении температуры до 77 K зависимость фотоэдс от напряжения на затворе становится нерезонансной, что связано с уменьшением подвижности.

PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be, 72.30.+q, 73.40.Kp, 73.63.Hs

 PDF версия (185Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster