ФТП, 2009, том 43, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование особенностей рабочих
характеристик многокомпонентных гетероструктур
и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN

О.И.Рабинович, В.П.Сушков

Государственный технологический университет \glqq Московский институт стали и сплавов\grqq,
Институт физико-химии материалов,
119049 Москва, Россия

(Получена 22 мая 2008 г. Принята к печати 15 августа 2008 г.)

Проведено моделирование многокомпонентных гетероструктур на основе AlInGaN для использования их в светоизлучающих диодах. Определено влияние неоднородного распределения атомов индия в светоизлучающих \glqq нанодиодах\grqq на рабочие характеристики приборов в целом. Разработана модель, описывающая строение многокомпонентных AlInGaN-гетероструктур для излучающих диодов.

PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi, 85.60.Jb

 PDF версия (191Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster