Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 4 » Статья стр. 543
<<<>>>
Мощные лазеры (lambda=808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
Андреев А.Ю.1, Зорина С.А.2, Лешко А.Ю.2, Лютецкий А.В.2, А.А. 2, Мурашова А.В.2, Налет Т.А.2, Падалица А.А.1, Пихтин Н.А.2, Сабитов Д.Р.1, Симаков В.А.1, Слипченко С.О.2, Телегин К.Ю.1, Шамахов В.В.2, Тарасов И.С.2
1"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
PDF версия
Исследованы лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs. Проведено сравнение параметров лазерных диодов с симметричным узким и асимметричным широким волноводами. Показано, что максимальная оптическая мощность в данных лазерных диодах ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал SiO2/Si. В лазерных диодах с симметричным узким волноводом максимальная мощность составила 3 Вт, а c асимметричным широким волноводом - 6 Вт. Показано, что повысить максимальную оптическую мощность можно за счет использования барьерного слоя Si3N4, который вводится между сколами лазерного диода и диэлектрическими покрытиями SiO2/Si. Мощность при использовании барьерного слоя Si3N4 в лазерном диоде с асимметричным широким волноводом составила 8.5 Вт. PACS: 42.55.Px
  1. J. Wang, B. Smith, X. Xie, X. Wang, G.T. Burnham. Appl. Phys. Lett., 74 (11), 1525 (1999)
  2. S. O'Brien, H. Zhao, B. Li, R. Lang. LEOS'97. Conf. Proc. ThX5, v. 2, p. 486
  3. Lin Li, Guojun Liu, Zhanguo Li, Mei Li, Hui Li, Xiaohua Wang, Chunming Wan. IEEE Photon. Tech. Lett., 20 (8), 566 (2008)
  4. А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (5), 628 (2006)
  5. A. Knauer, F. Bugge, G. Erbert, H. Wenzel, K. Vogel, U. Zeimer, M. Weyers. J. Electron. Mater., 29 (1), 53 (2000)
  6. W. Pitroff, F. Bugge, G. Erbert, A. Knauer, J. Maege, J. Sebastian, R. Staske, A. Thies, H. Wenzel, G. Traenkle. LEOS'98. Conf. Proc. WQ3, v. 1, p. 278
  7. A. Oster, F. Bugge, G. Erbert, H. Wenzel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 5 (3), 631 (1999)
  8. G. Erbert, F. Bugge, A. Oster, J. Sebastian, R. Staske, K. Vogel, H. Wenzel, M. Weyers, G. Traenkle. LEOS'97. Conf. Proc. WY3, v. 2, p. 199
  9. G. Erbert, F. Bugge, J. Sebastian, K. Vogel, H. Wenzel, M. Weyers. LEOS'96, Conf. Proc. ME4, v. 1, p. 46
  10. J. Sebastian, G. Beister, F. Bugge, F. Buhrandt, G. Erbert, H.G. Hansel, R. Hulsewede, A. Knauer, W. Pittroff, R. Staske, M. Schroder, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 7 (2), 334 (2001)
  11. A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, M. Weyers. Semicond. Sci. Technol., 20, 621 (2005)
  12. J. Diaz, H.J. Yi, M. Razeghi, G.T. Burnham. Appl. Phys. Lett., 71 (21), 3042 (1997)
  13. J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, J.A. Morris. Electron. Lett., 34 (11), 1100 (1998)
  14. J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, R.F. Nabiev, M. Jansen, J.A. Morris. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 4 (1998)
  15. J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, M. Jansen, F. Fang, R.F. Nabiev. Appl. Phys. Lett., 70 (2), 149 (1997)
  16. J.K. Wade, L.J. Mawst, D. Botez, R.F. Nabiev, M. Jansen. Appl. Phys. Lett., 71 (2), 172 (1997)
  17. F. Yamanaka, M. Wada, T. Kuniyasu, T. Ohgoh, T. Fukunaga, T. Hayakawa. Electron. Lett., 37 (21), 1289 (2001)
  18. В.В. Безотосный, В.В. Васильева, Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.Н. Крохин, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Т.А. Налет, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.М. Попов, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 42 (3), 357 (2008)
  19. T. Fukunaga, M. Wada, T. Hayakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 38 (pt 2, 4A), L387 (1999)
  20. T. Fukunaga, M. Wada, H. Asano, T. Hayakawa. Jpn. J. Appl. Phys., 34 (pt 2, 9B), L1175 (1995)
  21. L.J. Mawst, S. Rusli, A. Al-Muhanna, J.K. Wade. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 5 (3), 785 (1999)
  22. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39 (3), 388 (2005)
  23. R.W. Lambert, T. Ayling, A.F. Hendry, J.M. Carson, D.A. Barrow, S. McHendry, C.J. Scott, A. McKee, W. Meredith. J. Lightwave Technol., 24 (2), 956 (2006)
  24. P. Alnot, C. Grattepain, A. Huber, F. Wyczisk, J. Bourgoin, D. Vuillaume, R. Joubart, J.F. Peray. Le Vide, les Couches Minces, 43 (241), 287 (1988)
  25. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
  26. С.О. Слипченко, А.Д. Бондарев, Д.А. Винокуров, Д.Н. Николаев, Н.В. Фетисова, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 43 (1), 119 (2009)
  27. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97 (11), 113 106 (2005)
  28. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Ю.В. Ильин, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Е.А. Третьякова, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 57 (2000)
  29. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36 (11), 1393 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme