ФТП, 2009, том 43, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе

Н.А.Торхов\kern1pt, В.Г.Божков, И.В.Ивонин\kern1pt*, В.А.Новиков\kern1pt*

ОАО \glqq Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов\grqq,
634050 Томск, Россия
* Томский государственный университет,
634050 Томск, Россия

(Получена 14 января 2008 г. Принята к печати 29 января 2008 г.)

Исследования методом атомно-силовой микроскопии подготовленных для нанесения барьерного контакта поверхностей эпитаксиального n-GaAs показали, что основной рельеф таких поверхностей характеризуется шероховатостью в пределах 3--15 нм, хотя наблюдаются \glqq выбросы\grqq до 30--70 нм. С использованием трех независимых методов определения пространственной размерности поверхности, основанных на фрактальном анализе поверхности (метод триангуляции), контура ее сечения в горизонтальной плоскости и вертикального сечения (профиля поверхности) показано, что рабочая поверхность эпитаксиального n-GaAs удовлетворяет всем основным закономерностям поведения фрактальных броуновских поверхностей и в локальном приближении может характеризоваться величиной фрактальной размерности Df, несколько различающейся для различных измерительных масштабов. По результатам наиболее точного метода триангуляции фрактальные размерности исследований поверхности эпитаксиального n-GaAs для значений измерительного масштаба от 0.692 до 0.0186 мкм лежат в диапазоне Df=2.490-2.664. Получены оценки реальной площади поверхности Sreal эпитаксиальных слоев n-GaAs с помощью графического способа в приближении delta-> 0 (delta --- параметр, характеризующий измерительный масштаб). Показано, что реальная площадь поверхности эпитаксиального n-GaAs может значительно (на порядок и более) превышать площадь видимого контактного окна.

PACS: 61.43.Hv, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.45.Mp

 PDF версия (1.8Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster