"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе
Торхов Н.А.1, Божков В.Г.1, Ивонин И.В.2, Новиков В.А.2
1ОАО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов", Томск, Россия
2Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 2008 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 2008 г.

Исследования методом атомно-силовой микроскопии подготовленных для нанесения барьерного контакта поверхностей эпитаксиального n-GaAs показали, что основной рельеф таких поверхностей характеризуется шероховатостью в пределах 3--15 нм, хотя наблюдаются "выбросы" до 30--70 нм. С использованием трех независимых методов определения пространственной размерности поверхности, основанных на фрактальном анализе поверхности (метод триангуляции), контура ее сечения в горизонтальной плоскости и вертикального сечения (профиля поверхности) показано, что рабочая поверхность эпитаксиального n-GaAs удовлетворяет всем основным закономерностям поведения фрактальных броуновских поверхностей и в локальном приближении может характеризоваться величиной фрактальной размерности Df, несколько различающейся для различных измерительных масштабов. По результатам наиболее точного метода триангуляции фрактальные размерности исследований поверхности эпитаксиального n-GaAs для значений измерительного масштаба от 0.692 до 0.0186 мкм лежат в диапазоне Df=2.490-2.664. Получены оценки реальной площади поверхности Sreal эпитаксиальных слоев n-GaAs с помощью графического способа в приближении delta-> 0 (delta --- параметр, характеризующий измерительный масштаб). Показано, что реальная площадь поверхности эпитаксиального n-GaAs может значительно (на порядок и более) превышать площадь видимого контактного окна. PACS: 61.43.Hv, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 68.47.Fg, 82.45.Mp
  • Б. Мандельброт. Фрактальная геометрия природы (М., Институт компьютерных исследований, 2002) с. 656
  • F. Family, T. Vicsek. Dynamics of Fractal Surfaces (World Scientific, Singapore, 1991) c. 376
  • А.Д. Морозов. Введение в теорию фракталов (Москва--Ижевск, НИЦ "Регулярная и хаотическая динамика", 2001) с. 128
  • П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина, В.Н. Демидов. Завод. лаб., 65 (9), 27 (1999)
  • S. Talibuddin, J.P. Runt. J. Appl. Phys., 76 (9), 5070 (1994)
  • Е. Федер. Фракталы (М., Мир, 1991)
  • B.B. Mandelbrot. Fractals: Form, Chance, and Dimention (W.H. Freeman, San Francisco, 1977)
  • Б.Б. Мандельброт. Фракталы в физике (М., Мир, 1988) с. 9
  • B.B. Mandelbrot. Encyclopedia of physical science and technology, 5, 579 (1987)
  • M. Matsushita, M. Sano, Y. Hayakawa, H. Honjo, Y. Sawada. Phys. Rev. Lett., 53, 286 (1984)
  • А.В. Панин, А.Р. Шугуров. Поверхность, N 6, 64 (2003)
  • C. Douketis, Z. Wang, T.L. Haslett, M. Moskovits. Phys. Rev. B, 51 (16), 11 022 (1995)
  • Н.А. Торхов. ФТП, 37 (10), 1205 (2003)
  • P. Meakin. Phys. Rev. A, 27, 1495 (1983)
  • В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Нижний Новгород, Ин-т физики микроструктур РАН, 2004) с. 111
  • www.ntmdt-tips.com
  • www.ntmdt.com
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.