Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фоточувствительность барьеров Шоттки Ni-n-GaAs
1Туркменский государственный университет им. Магтымгулы, Ашхабад, Туркменистан
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.
Методом химического осаждения получены структуры с барьером Шоттки Ni-n-GaAs. Толщина слоев никеля с зеркальной наружной поверхностью варьировалась в пределах 150-220 Angstrem. Впервые экспериментально обнаружено, что фоточувствительность полученных барьеров при их освещении со стороны полупрозрачных слоев Ni в фаулеровской области спектра hnu=0.9-1.5 эВ практически отсутствует. Эта закономерность связывается в основном с тем, что при освещении со стороны слоя Ni излучение с энергией фотонов hnu<1.3 эВ сильно отражается от поверхности никеля. Установлено, что разработанные структуры Ni-n-GaAs могут использоваться в качестве высокоэффективных широкодиапазонных фотопреобразователей видимого и ультрафиолетового излучения. PACS: 78.20.-e, 81.15.-z
- Арсенид галлия в микроэлектронике, пер. под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М., Мир, 1988)
- Г.А. Ашкинази, Ю.В. Жиляев, М.И. Шульга, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 9 (7), 414 (1983)
- С.Г. Конников, Г.Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, В.Ю. Рудь, М. Сергинов. Письма ЖТФ, 18 (24), 32 (1992)
- Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.М. Лантратов, О.И. Оболенский, Т.В. Петелина, Е.А. Поссе, М.З. Шварц. ФТП, 33, 876 (1999)
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35, 1437 (2001)
- А.П. Вяткин, Н.К. Максимова, А.С. Поплавной, В.Е. Степанов, В.А. Чалдышев. ФТП, 4, 915 (1970)
- C.R. Crowell, W.G. Spitzer, H.G. White. Appl. Phys. Lett., 1, 3 (1962)
- Г.Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, Я. Агаев, Ю.А. Гольдберг, И.В. Попов, М. Сергинов. Тр. XI Всес. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад. 200 (1991)
- А. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков. ФТП, 10, 1532 (1976)
- А. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, А.Н. Именков, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков. ФТП, 12, 96 (1978)
- Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 3, 33 (2007)
- C.A. Mead. Sol. St. Electron., 9, 1023 (1966)
- А.А. Гуткин, М.В. Дмитриев, Д.Н. Наследов, А.В. Пашковский. ФТП, 5, 1927 (1971)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. под ред. А.Ф. Труто (М., Энергия, 1973)
- Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь. Тр. VII Межд. науч.-практ. конф. "СИЭТ-2006" (Одесса, Украина, 2006) с. 165
- Г.Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь. Тр. VIII Межд. науч.-практ. конф. "СИЭТ-2007" (Одесса, Украина, 2007) с. 346
- М.Г. Коттон, Д.Дж. Локфуд. Рассеяние света в магнетиках, под ред. Н.М. Крейнес (М., Наука, 1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
