ФТП, 2008, том 42, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Учет спонтанной поляризации в задаче о гетероструктуре NH-SiC/3C-SiC/NH-SiC, образованной кубическим (3C)
и гексагональными (NH) политипами карбида кремния

С.Ю.Давыдов , А.В.Трошин *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ),
197376 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 8 октября 2007 г. Принята к печати 21 января 2008 г.)

Задача о трехслойной гетероструктуре NH-SiC/3C-SiC/NH-SiC с учетом спонтанной поляризации гексагональных областей рассмотрена в рамках модели, предложенной ранее для описания гетероперехода между политипами карбида кремния NH-SiC/3C-SiC. Потенциал в кубической 3C-области аппроксимировался модельной функцией, построенной из физических соображений. Значительное внимание уделено исследованию влияния спонтанной поляризации и толщины 3C-области на энергетические характеристики квантовых ям, образующихся у гетеропереходов.

PACS: 73.20.-r, 73.21.Fg, 77.84.-s

 PDF версия (309Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster