Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 10 » Статья стр. 1198
<<<>>>
Исследование свойств эпитаксиального и слиткового антимонида галлия
Хвостиков В.П.1, Сорокина С.В.1, Потапович Н.С.1, Хвостикова О.А.1, Власов А.С.1, Ракова Е.П.1, Андреев В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2008 г.
PDF версия
С использованием метода Холла исследованы закономерности легирования теллуром антимонида галлия, полученного методом Чохральского и выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные условия эпитаксии, позволяющие выращивать слои антимонида галлия, легированные теллуром, характеризующиеся высокими значениями подвижности носителей заряда по сравнению со слитковым антимонидом галлия, выращенным методом Чохральского. Обсуждаются возможности улучшения выходных параметров фотопреобразователей, полученных диффузией Zn в n-GaSb из газовой фазы и жидкофазной эпитаксией. PACS: 71.55.Eq, 73.61.Ey, 81.15.Lm, 78.55.Gr
  1. L.M. Fraas, G.R. Girard, J.E. Avery, B.A. Arau, V.S. Sundaram, A.G. Thompson. J. Appl. Phys., 66, 3866 (1989)
  2. A.W. Bett, O.V. Sulima. Semicond. Sci. Technol., 18, 184 (2003)
  3. V.M. Andreev, L.B. Karlina, A.B. Kazantsev, V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, S.V. Sorokina, M.Z. Shvarts. Proc. 1st World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (Hawaii, USA, 1994) p. 1721
  4. S.V. Sorokina, V.P. Khvostikov, M.Z. Shvarts. Proc. 13th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition (Nice, France, 1995) p. 61
  5. V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, O.A. Khvostikova, P.Y. Gazaryan, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Proc. 20th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, 2005) p. 191
  6. http://www.girmet.com/Rus/semiconductors\_Rus/III-V\_Rus.htm
  7. http://www.wafertech.co.uk/
  8. М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (М.., Металлургия, 1974)
  9. P.S. Dutta, A.G. Ostrogovsky. J. Cryst. Growth, 191, 904 (1998)
  10. Н.А. Берт, А.Е. Куницын, А.Г. Мильвидская, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 29, 1116 (1995)
  11. А.Е. Куницын, А.Г. Мильвидская, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 31, 947 (1997)
  12. R.D. Baxter, F.J. Reid, A.C. Beer. Phys. Rev., 162, 718 (1967)
  13. P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
  14. M. Ichimura, K. Higuchi, Y. Hattori, T. Wada, N. Kitamura. J. Appl. Phys., 68, 6153 (1990)
  15. M. Hakala, M.J. Puska, R.M. Nieminen. J. Appl. Phys., 91, 4988 (2002)
  16. C. Anayama, T. Tanahashi, H. Kuwatsuka, S. Nishiyama, S. Isozumi, K. Nakajima. Appl. Phys. Lett., 56, 239 (1990)
  17. D. Martin, C. Algora. Proc. 6th Conf.on Thermophotovoltaic Generation of Electricity (Freiburg, Germany, 2004) p. 311
  18. Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 278 (1998)
  19. D. Zivkovic, Z. Zivkovic, L. Stuparevic, S. Rancic. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 65, 805 (2001)
  20. D. Zivkovic, I. Katayama, A. Kostov, Z. Zivkovic. J. Thermal Analysis and Calorimetry, 71, 567 (2003)
  21. F. Dmitroth, C. Agert, A.W. Bett. J. Cryst. Growth, 248, 265 (2003)
  22. В.С. Сорокин, С.В. Сорокина, В.П. Хвостиков. Изв. вузов. Матер. электрон. техники, 4, 55 (1999)
  23. G.B. Stringfellow. J. Phys. Chem. Sol., 35, 775 (1974)
  24. A.S. Jordan, F.A. Trumbore, K.B. Wolfstrim, A. Kowalchik, D.D. Roccasecca. Anodic Oxide Layers on Aluminium, 120 (6), 789 (1973)
  25. В.П. Хвостиков, М.Г. Растегаева, О.А. Хвостикова, С.В. Сорокина, А.В. Малевская, М.З. Шварц, А.Н. Андреев, Д.В. Давыдов, В.М. Андреев. ФТП, 40 (10), 1275 (2006)
  26. V.W.L. Chin. Sol. St. Electron., 38 (1), 59 (1995)
  27. D.M. Caughey, R.E. Thomas. Proc. of the Institute of Electrical and Electronics Engineers, 55, 2192 (1967)
  28. J. Olvera-Hernandez, F. de Anda, H. Navarro--Contreras, V.V. Mishurnyi. J. Cryst. Growth, 208, 27 (2000)
  29. H. Miki, K. Segawa, K. Fujibayashi. Jap. J. Appl. Phys., 13, 203 (1974)
  30. F. Pascal, F. Delannoy, J. Bougnot, L. Gouskov, G. Bougnot, P. Grosse, J. Kaoukab. J. Electron. Mater., 19, 187 (1990)
  31. D. Martin, C. Algora. Semicond. Sci. Technol., 19, 1040 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme