Работа посвящена теоретическому и экспериментальному исследованию излучательных процессов в нуль-мерных кремниевых и германиевых наноструктурах, состоящих из системы нанокристаллов Si или Ge, погруженных в матрицу оксида алюминия. Пленки Al₂O₃ с квантовыми точками Si, Ge получены методом импульсного лазерного осаждения. Измерены их спектры фотолюминесценции с временным разрешением в диапазоне энергий фотонов 1.4-3.2 эВ и времен релаксации фотолюминесценции 50 нс-20 мкс. Рассчитаны энергии связи экситонов и энергии излучательных экситонных переходов с учетом конечности высоты барьеров и поляризации гетерограницы. Рассчитаны также спектры экситонной фотолюминесценции с учетом эффекта квантово-мезоскопических флуктуаций и возможной немонотонной зависимости излучательного бесфононного времени жизни экситонов от размеров квантовых точек. Наблюдающееся согласие измеренных и рассчитанных спектров фотолюминесценции позволило подтвердить ее экситонную природу и определить параметры модели фотолюминесценции исследуемых наноструктур. PACS: 78.55.Hx, 78.67.Bf, 81.07.Ta, 81.15.Fg, 81.16.Mk, 81.40.Tv

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.