ФТП, 2008, том 42, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диффузия хрома в эпитаксиальный арсенид галлия

М.Д.Вилисова, Е.П.Другова *, И.В.Пономарев , В.А.Чубирко *

Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета,
634050 Томск, Россия
* ОАО \glqq Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов\grqq,
634034 Томск, Россия

(Получена 12 марта 2007 г. Принята к печати 14 мая 2007 г.)

Исследована диффузия Cr в эпитаксиальный GaAs в открытой системе в диапазоне температур 750-850oC. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости Cr описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: D0=1.9·109 см2/с, E=4.1±0.2 эВ; для растворимости: N0=2.3·1024 см-3, E0=1.9±0.4 эВ. Изучено влияние защитной пленки SiO2 на коэффициент диффузии Cr и морфологию поверхности GaAs после диффузии.

PACS: 66.30.Jt, 68.55.Ln, 81.05.Ea

 PDF версия (179Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster