Исследовано влияние состава газа-носителя на анизотропию скоростей роста p-GaN при селективной газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Слои p-GaN номинальной толщиной ~400 нм выращивались на гранях GaN мезаполосков, предварительно сформированных локальной эпитаксией в полосковых окнах в Si₃N₄. Показано, что при использовании водорода в качестве газа-носителя рост p-GaN происходит преимущественно в латеральном направлении, и на верхних гранях мезаполосков слой p-GaN отсутствует или имеет малую толщину, в то время как при использовании в качестве газа-носителя азота рост в нормальном (0001) направлении доминирует, и слой p-GaN формируется на всех гранях мезаполоска. Результаты исследования свидетельствуют о существенной роли водорода в процессе эпитаксиального роста GaN и могут быть использованы при разработке технологии приборов с p-n-переходами на основе GaN с применением методов селективной эпитаксии. PACS: 78.55.Cr, 81.05.Ea, 81.10.Aj, 81.10.Bk, 81.15.Gh, 85.60.Jb

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.