Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 2 » Статья стр. 243
<<<
Влияние электронного облучения на скорость удаления носителей в кремнии и карбиде кремния модификации 4H
Козловский В.В.1, Емцев В.В.2, Емцев К.В.1, Строкан Н.Б.2, Иванов А.М.2, Ломасов В.Н.1, Оганесян Г.А.2, Лебедев А.А.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
PDF версия
Впервые проведено сравнение последовательного (до дозы 3· 1016 см-2) воздействия электронного облучения (с энергией 900 МэВ) на образцы, изготовленные из FZ-Si и 4H-SiC (CVD). Измерения на исходных и облученных образцах проводились по методу Ван-дер-Пау (для кремния) и вольтъемкостным методом на частоте 1 кГц (для карбида кремния). Дополнительно, в случае SiC, спектр вводимых уровней дефектов контролировался методом DLTS. Были определены величины скорости удаления носителей и скорости введения дефектов для двух материалов. Было установлено, что скорости введения дефектов в FZ-Si и в 4H-SiC (CVD) близки между собой (~0.1 см-1), что в значительной мере определяется близкими пороговыми энергиями возникновения дефектов. PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x
  1. B.G. Svensson, A. Hallen, M.K. Linnarsson, A.Yu. Kuznetsov, M.S. Janson, D. Aberg, J. Osterman, P.O. Persson, L. Hultman, L. Storasta, F.H.C. Carlsson, J.P. Bergman, C. Jagadish, E. Morvan. Mater. Sci. Forum, 353--356, 549 (2001)
  2. V. Kozlovski, V. Abrosimova. Radiation Defect Engineering (Singapore, World Scientific, 2005)
  3. A.C. Ahyi, S.R. Wang, J.R. Williams. Mater. Sci. Forum, 527--529, 1063 (2006)
  4. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev. A. 134, 1359 (1964)
  5. E.L. Elkin, G.D. Watkins. Phys. Rev., 174, 881 (1968)
  6. J.W. Corbett, G.D. Watkins. Phys. Rev. A, 138, 555 (1965)
  7. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121, 1001 (1961)
  8. C.T. Sah, W.G.K. Reddi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-11, 345 (1964)
  9. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  10. L.S. Berman. Purity control of semiconductors by the method of capacitance transient spectroscopy (St. Petersburg, Electronic Integral Systems, 1995)
  11. А.А. Лебедев, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова. ФТП, 36 (11), 1354 (2002)
  12. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев. ФТП, 38 (2), 129 (2004)
  13. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava. Appl. Phys. Lett., 85, 3780 (2004)
  14. A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053 706 (2005).
  15. G. Alfieri, E.V. Monakov, M.K. Linnarsson, B.G. Svensson. Mater. Sci. Forum, 483--485, 365 (2005)
  16. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  17. J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353--356, 381 (2001)
  18. J.W. Steeds, G.A. Evans. S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1923 (2002)
  19. J.W. Corbett, J.C. Bourgoin. In: Point Defects in Solids. Vol. 2, Semiconductors and Molecular Crystals, ed by J.H. Crawford, L.M. Slifkin (London, N.Y., Plenum Press, 1975) p. 84. [Перевод: Дж. Корбетт, Ж. Бургуэн. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах. Перевод под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец, А.Н. Орлова (М., Мир, 1979) с. 95.]
  20. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  21. W.J. Weber, L.K. Mansur. F.W. Clinard, D.M. Parkin. J. Nucl. Mater., 184 (1), 1 (1991)
  22. D. Aberg, A. Hallen, P. Pellegrino, B.G. Swensson. Appl. Phys., Lett., 78, 2908 (2001)
  23. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, V.V. Kozlovski, D.V. Davydov, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88 (11), 6265 (2000)
  24. V.V. Kozlovski, E.V. Bogdanova, V.V. Emtsev, K.V. Emtsev, A.A. Lebedev, V.N. Lomasov. Mater. Sci. Forum., 483--485, 385 (2005)
  25. Е.В. Калинина. ФТП, 41 (7). 769 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme