ФТП, 2007, том 41, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AlGaAs/GaAs/AlGaAs при введении в квантовую
яму GaAs тонких InAs-барьеров для полярных оптических фононов

Ю.Пожела, К.Пожела, В.Юцене, С.Балакаускас,
В.П.Евтихиев *, А.С.Школьник *, Ю.Стораста +, А.Мекис +

Институт физики полупроводников,
01108 Вильнюс, Литва
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Физический факультет Вильнюсского университета,
10222 Вильнюс, Литва

(Получена 17 мая 2007 г. Принята к печати 24 мая 2007 г.)

Захват и локализация полярных оптических фононов в узких фононных ямах с помощью тонких фононных барьеров многократно снижает скорость электрон-фононного рассеяния на полярных оптических фононах. Экспериментально наблюдается увеличение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях при введении тонких фононных барьеров в квантовую яму AlGaAs/GaAs/AlGaAs.

PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.40.Kp, 73.63.Hs

 PDF версия (282Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster