Вышедшие номера
Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AlGaAs/GaAs/AlGaAs при введении в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для полярных оптических фононов
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1, Балакаускас С.1, Евтихиев В.П.2, Школьник А.С.2, Стораста Ю.3, Мекис А.3
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Физический факультет Вильнюсского университета, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 17 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.

Захват и локализация полярных оптических фононов в узких фононных ямах с помощью тонких фононных барьеров многократно снижает скорость электрон-фононного рассеяния на полярных оптических фононах. Экспериментально наблюдается увеличение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях при введении тонких фононных барьеров в квантовую яму AlGaAs/GaAs/AlGaAs. PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.40.Kp, 73.63.Hs