Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AlGaAs/GaAs/AlGaAs при введении в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для полярных оптических фононов
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Юцене В.1, Балакаускас С.1, Евтихиев В.П.2, Школьник А.С.2, Стораста Ю.3, Мекис А.3
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Физический факультет Вильнюсского университета, Вильнюс, Литва
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Захват и локализация полярных оптических фононов в узких фононных ямах с помощью тонких фононных барьеров многократно снижает скорость электрон-фононного рассеяния на полярных оптических фононах. Экспериментально наблюдается увеличение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях при введении тонких фононных барьеров в квантовую яму AlGaAs/GaAs/AlGaAs. PACS: 72.10.Di, 73.21.Fg, 73.40.Kp, 73.63.Hs
- Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41 (9), 1093 (2007)
- J. Wang, J.-P. Leburton, J. Pov zela. J. Appl. Phys., 81, 3468 (1997)
- N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
- I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
- L.F. Register. Phys. Rev. B, 45, 8756 (1992)
- J. Pov zela, K Pov zela, V. Juciene. Lithuan. J. Phys., 47, 41 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
