Методом оптического бесконтактного электроотражения при различных температурах исследованы экситонные состояния в структуре с периодической системой из 36 квантовых ям GaAs, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами AlGaAs толщиной 104 нм. В этой структуре 32 квантовые ямы имели ширину 15 нм, а еще 4 квантовые ямы, а именно 5, 14, 23 и 32-я, были шириной 20 нм. Периодичность структуры соответствовала брэгговскому условию интерференции на частоте экситонов в квантовых ямах при угле падения света ~43^o. Путем количественного анализа формы линии бесконтактного электроотражения определены параметры основных и возбужденных состояний экситонов в обоих типах квантовых ям. Установлено, что для системы из 4 ям шириной 20 нм, расположенных на расстоянии 830 нм друг от друга, энергия размерного квантования в основном состоянии равна 8.4±0.1 мэВ, а параметр уширения экситонного пика составляет 1.8±0.1 мэВ при 17 K и возрастает до 2.0±0.1 мэВ при 80 K. Для системы из 32 ям шириной 15 нм энергия размерного квантования в основном состоянии равна 14.9±0.1 мэВ, а параметр уширения экситонного пика составляет 2.2±0.1 и 2.6±0.1 мэВ при 17 и 80 K соответственно. Рассмотрены возможные причины радиационного и нерадиационного уширения экситонных состояний в этих системах. PACS: 71.35.Cс, 73.21.Fg, 78.67.De

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.