Модуляционная оптическая спектроскопия экситонов в структурах с множественными квантовыми ямами GaAs, разделенными туннельно-непрозрачными барьерами
Чалдышев В.В.1, Школьник А.С.1, Евтихиев В.П.1, Holden T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Brooklyn College of the City University of New York, Brooklyn,, USA
Поступила в редакцию: 28 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2007 г.
Методом оптического бесконтактного электроотражения при различных температурах исследованы экситонные состояния в структуре с периодической системой из 36 квантовых ям GaAs, разделенных туннельно-непрозрачными барьерами AlGaAs толщиной 104 нм. В этой структуре 32 квантовые ямы имели ширину 15 нм, а еще 4 квантовые ямы, а именно 5, 14, 23 и 32-я, были шириной 20 нм. Периодичность структуры соответствовала брэгговскому условию интерференции на частоте экситонов в квантовых ямах при угле падения света ~43o. Путем количественного анализа формы линии бесконтактного электроотражения определены параметры основных и возбужденных состояний экситонов в обоих типах квантовых ям. Установлено, что для системы из 4 ям шириной 20 нм, расположенных на расстоянии 830 нм друг от друга, энергия размерного квантования в основном состоянии равна 8.4±0.1 мэВ, а параметр уширения экситонного пика составляет 1.8±0.1 мэВ при 17 K и возрастает до 2.0±0.1 мэВ при 80 K. Для системы из 32 ям шириной 15 нм энергия размерного квантования в основном состоянии равна 14.9±0.1 мэВ, а параметр уширения экситонного пика составляет 2.2±0.1 и 2.6±0.1 мэВ при 17 и 80 K соответственно. Рассмотрены возможные причины радиационного и нерадиационного уширения экситонных состояний в этих системах. PACS: 71.35.Cс, 73.21.Fg, 78.67.De
- Е.Л. Ивченко, А.И. Несвижский, С. Йорда. ФТТ, 36, 2118 (1994)
- В.А. Кособукин, М.М. Моисеева. ФТТ, 37, 3694 (1995)
- Е.Л. Ивченко, В.П. Кочерешко, А.В. Платонов, Д.Р. Яковлев, А. Вааг, В. Осаау, Г. Ландвер. ФТТ, 39, 2072 (1997)
- E.L. Ivchenko, M. Willander. Phys. Status Solidi B, 215, 199 (1999)
- L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 62, 4242 (2000)
- T. Ikawa, K. Cho. Phys. Rev. B, 66, 85 338 (2002)
- L. Pilozzi, A. D'Andrea, K. Cho. Phys. Rev. B, 69, 205 311 (2004)
- E.L. Ivchenko, M.M. Voronov, M.V. Erementchouk, L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 70, 195 106 (2004)
- М.М. Воронов, Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный, В.В. Чалдышев. ФТТ, 48 (9), 1814 (2006)
- V.P. Kochereshko, G.R. Pozina, E.L. Ivchenko, D.R. Yakovlev, A. Waag, W. Ossau, G. Landwehr, R. Hellmann, E.O. Gobel. Superlat. Microstruct., 15, 471 (1994)
- Y. Merle d'Aubigne, A. Wasiela, H. Mariette, T. Dietl. Phys. Rev. B, 54, 14 003 (1996)
- J. Sadowski, H. Mariette, A. Wasiela, R. Andre, Y. Merle d'Aubigne, T. Dietl. Phys. Rev. B, 56, 1664 (1997)
- M. Hubner, J. Kuhl, T. Stroucken, A. Knorr, S.W. Koch, R. Hey, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 76, 4199 (1996)
- C. Ell, J. Prineas, T.R. Nelson, Jr., S. Park, H.M. Gibbs, G. Khitrova, S.W. Koch. Phys. Rev. Lett., 80, 4795 (1998)
- G.R. Hayes, J.L. Shaehli, U. Oesterle, B. Deveaud, R.T. Phillips, C. Ciuti. Phys. Rev. Lett., 83, 2837 (1999)
- J.P. Prineas, C. Ell, E.S. Lee, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 61, 13 863 (2000)
- V.P. Evtikhiev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin, A.S. Shkolnik, E.L. Ivchenko, V.V. Chaldyshev, L.I. Deych, A.A. Lisyansky, D.R. Yakovlev, M. Bayer. In: 13th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 2005)
- В.В. Чалдышев, А.С. Школьник, В.П. Евтихиев, T. Holden. ФТП, 40 (12), 1466 (2006)
- F.H. Pollak. In: Properties of III--V Quantum Wells and Superlattices: EMI Data Reviews Series, ed. by P. Bhattacharya (INSPEC, London, 1996) p. 232
- М. Кардона. Модуляционная спектроскопия (М., Мир, 1972)
- S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
- B. Gerlach, J. Wusthoff, M.O. Dzero, M.A. Smondyrev. Phys. Rev., B, 58, 10 568 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.